国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“背照式图像传感器背面走线工艺方法”的专利，公开号CN122699407A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明公开了一种背照式图像传感器背面走线工艺方法，在背照式图像传感器的器件晶圆与载片晶圆键合之后，进行背面金属走线工艺；所述器件晶圆上包含逻辑背面金属走线区及像素区，所述的背面走线工艺位于逻辑背面金属走线区；在所述的器件晶圆上依次淀积第一金属层及第二金属层；在完成第二金属层的刻蚀形成走线之后，第一金属层刻蚀之前，先淀积一层保护层覆盖在所述第二金属层的表面对第二金属层的侧面进行保护，防止对第一金属层进行刻蚀时刻蚀材料对第二金属层造成腐蚀损伤。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2951次，专利信息2143条，此外企业还拥有行政许可119个。

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作者：情报员