9月3日消息，德国光学大厂蔡司公司（Zeiss）半导体部门负责人 Frank Rohmund 接受彭博电视访问时指出，中国在最尖端芯片制造设备研发方面，大约落后西方 15 年。UBS 分析师团队本周也发表报告称，推断中国至少要 10 年后，才有可能自行开发出可取代 ASML 顶尖极紫外光（EUV） 技术的方案。
Frank Rohmund 指出，中国要研发出极紫外光（EUV）微影机，大约还需要 15 年，属“合理推测”，但他坦言中国实际研发进度难以量化。他表示中国数十年来一直投放资源研发相关技术，近期外界流传中国取得进展的报导，其实并不令人意外，现在更应观察装置实际效能。
Frank Rohmund 强调，蔡司（Zeiss） 与 ASML 目前仍掌握关键光学技术，“我们仍然遥遥领先”。蔡司是 ASML EUV 机台光学元件独家供应商，自家零部件用于生产全球约 80% 芯片，而 ASML 是全球唯一能制造 EUV 微影机的厂商。ASML 早于 2017 年以 10 亿欧元收购 Zeiss 半导体事业少数股权。
由 Francois-Xavier Bouvignies 带领的 UBS 分析师团队，在报告中通过分析中国在光源与激光子系统相关专利申请活动，评估中国现在 EUV 技术成熟度，大约相当于 ASML 在 2004 年、即量产 EUV 设备前 15 年水准。报告认为中国要在 10 年内开发出足以取代 ASML 顶尖 EUV 技术的方案，难度相当高。不过 UBS 同时预期，中国有能力在 2 至 5 年内，实现浸没式深紫外光（DUV）微影机量产，较追赶 EUV 容易得多。报告还指出，由于良率与产能料与 ASML 存在差距，加上监管限制，中国制造微影机相信只会在境内使用。
Reuters 去年底独家报导称，一支由 ASML 前工程师组成的团队，在深圳一个高度保密实验室，早于 2025 年初已完成一部 EUV 原型机，规模几乎占满整层厂房。原型机目前仍在测试阶段，已能成功产生极紫外光，但尚未制造出可用芯片。报道引述知情人士指，中国政府设定目标为 2028 年前于原型机上实现芯片生产，惟参与项目人士认为 2030 年是较实际时间表。报道又指，中国原型机落后 ASML 主要因研究人员难以取得类似 Zeiss 精密光学系统，团队需靠拆解旧款 ASML 二手零件，以及日本 Nikon、Canon 受限制出口零件拼凑而成。
Frank Rohmund 提到，若未来出口管制进一步扩大至传统 DUV 装置，将对产业造成不利影响，他明确表示：“我们不相信这些出口管制会带来正面效果，因为这反而会加速中国创新。”中国目前是 ASML 上一代 DUV 设备重要市场之一，而美方已要求 ASML 部分较先进浸润式 DUV 装置出口中国前须取得许可，并全面禁止最先进 EUV 装置出口该国。
市场消息也指，一家上海企业已开始制造浸没式 DUV 装置，反映中国在较低阶制程上进展较快。ASML 现在最先进 EUV 机台造价超 2 亿美元，浸没式 DUV 机台则约 9,000 万美元。分析普遍认为，中国要在最尖端芯片制造领域完全追上西方仍需一段长时间，但在较成熟技术上收窄差距的速度，可能比市场预期快。
编辑：芯智讯-林子
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