国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“沟槽型半导体结构的制备方法、功率器件及电子设备”的专利，公开号CN122699332A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请涉及一种沟槽型半导体结构的制备方法、功率器件及电子设备。所述方法包括：提供衬底，衬底上形成有第一掺杂类型的外延层，外延层内形成有第二掺杂类型的阱区和位于阱区内的源区；形成第二掺杂类型的体区和第二掺杂类型的屏蔽连接柱；体区位于源区在平行于衬底表面的第一方向的一侧，贯穿阱区并延伸至外延层内；屏蔽连接柱贯穿源区和阱区，并延伸至外延层内；形成沟槽；沟槽位于屏蔽连接柱在平行于衬底表面的第二方向的两侧，贯穿源区和阱区，并延伸至外延层内；于沟槽底部的外延层内形成第二掺杂类型的屏蔽层；屏蔽层与屏蔽连接柱连接；于沟槽内依次形成栅介质层和栅极。本申请的制备方法可以提高半导体结构的耐压性能，提高器件可靠性。

天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目50次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息117条，此外企业还拥有行政许可103个。

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作者：情报员