来源：滚动播报

（来源：财闻）

9月7日，据ChosunBiz，SK海力士（SKHY.US）正在迅速扩大其第六代10nm级DRAM工艺1c nm产能份额。由于1c DRAM将作为核心芯片堆叠HBM，并应用于下一代高带宽内存，该公司正在加速其工艺转型。据业内人士透露，SK海力士1c DRAM的市场份额从今年第一季度的约10%增长到第二季度的13%左右，预计第三季度将升至24%左右，第四季度将达到34%左右。明年第一季度，1c nm的市场份额有望攀升至35%左右，首次超过1b（33%左右），成为主流工艺。