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观点网讯：9月7日，SK海力士正加速第六代10nm级DRAM工艺1c nm的转型。1c DRAM将作为核心芯片堆叠HBM，并应用于下一代高带宽内存。

据业内人士消息，SK海力士1c DRAM的产能份额已从今年第一季度的约10%增至第二季度的约13%，预计第三季度将升至约24%，第四季度达约34%。

到明年第一季度，业内人士预计1c nm份额将攀升至约35%，首次超过1b工艺（约33%），成为SK海力士的主流工艺。

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