早在2024年，SK海力士就已成功开发出全球首款采用1cnm（第六代10nm级别）工艺的16Gb DDR5 DRAM，展现了10nm出头的超微细化存储工艺技术。SK海力士在1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺基础上运用了新材料，并针对EUV适用工艺进行了优化，以确保成本竞争力。另外还进行了设计技术革新，生产率提高了30%以上。

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据TrendForce报道，SK海力士正在加速向1cnm DRAM工艺转型，迅速扩大生产。有消息人士透露，2026年第一季度1cnm DRAM约占SK海力士产能的10%，第二季度提高到13%，不过仍然低于三星的16%及美光的19%。SK海力士打算在第三季度进一步提升至24%，第四季度再提高到34%，从而超越同期三星的31%。预计到2027年第一季度，1cnm将首次超越1bnm，成为SK海力士第一大DRAM工艺。

与SK海力士仍然停留在1bnm工艺不同，三星在HBM4采用了1cnm工艺制造DRAM芯片。SK海力士优先考虑的是量产时的生产稳定性，以便保持出货量的领先。三星则希望提供更强的性能，以提升竞争力，拉动出货。由于很快HBM4E就要提上日程，SK海力士也改要1cnm工艺来制造DRAM芯片，为此需要提前做好准备。

展望更远的未来，三星和SK海力士将在1dnm（第七代10nm级别）工艺展开竞争。三星计划今年9月完成开发，并于12月开始量产准备，初步量产时间预计在2027年初。SK海力士要到12月才完成开发，2027年6月实现量产准备，比三星晚了大概六个月。