2026年9月8日，ASML与台积电发布联合新闻稿宣布，双方已于9月7日在美国加州蒙特雷举行的SPIE BACUS先进微影技术研讨会前夕，共同发起一项全产业合作倡议，旨在推动极紫外（EUV）光罩由现行6英寸规格向12英寸大尺寸光罩过渡，以更充分地释放高数值孔径（High NA）EUV光刻技术的潜力。
据悉，High NA EUV在初期导入量产时仍将沿用现有的6英寸光罩，后续再逐步切换至12英寸光罩。ASML与台积电认为，更大尺寸的光罩有望进一步提升晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并缓解High NA EUV光刻过程中存在的拼接（stitching）限制，从而使整个半导体产业能够更充分地发挥High NA EUV的技术优势。
需要特别强调的是，此处所指的12英寸是光罩（photomask）尺寸，而非晶圆尺寸。目前先进半导体制造普遍采用12英寸（300毫米）晶圆，而本次倡议聚焦于EUV曝光工序所使用光罩的规格升级。ASML指出，光刻系统会通过投影光学系统将光罩上的图形缩小并投射到晶圆上，因此光罩作为芯片制造过程中承载图形信息的关键部件，其尺寸演进至关重要。
ASML总裁兼首席执行官克里斯托夫·富凯（Christophe Fouquet）表示：
“我们预计，High NA EUV的采用将随着器件微缩路线图逐步增加，首先使用目前的6英寸光罩，然后进一步得到12英寸光罩的支持，这将提高扫描仪的生产效率，并助力行业满足对更小、更快、更节能芯片的需求。我们很高兴看到半导体制造商、光罩供应商及合作伙伴对这一倡议的初步强力支持。”
台积电董事长兼首席执行官魏哲家表示：
“唯有产业携手解决复杂问题，才能开创单一企业无法独力实现的无限可能。借由汇聚产业价值链的专业能力，我们期望通过持续创新来降低门槛，让先进解决方案得以大规模普及，从而持续传递尖端技术的价值。”
台积电计划2030年导入High NA EUV量产
此次合作的另一个重要信息，是台积电进一步明确了High NA EUV的量产时间表。
台积电表示，计划自2030年起，在先进制程的大规模量产（High-Volume Manufacturing，HVM）中导入ASML的High NA技术。随着制程节点持续推进，特别是人工智能应用对晶体管架构提出日益复杂的要求，台积电预计需要采用High NA EUV进行曝光的关键层数也将逐步增加。
这意味着，High NA EUV对于台积电而言已不是单纯的下一代光刻设备升级，而将逐渐成为先进制程继续微缩的重要制造基础设施之一。与此同时，光罩尺寸也需要同步演进，以充分发挥High NA扫描系统的生产效率和分辨率优势。
12英寸光罩产业链进入建设阶段
按照ASML与台积电公布的规划，双方的目标是在2031年之前建立12英寸光罩试产线（pilot line），并以此为基础，为12英寸High NA光罩进入先进制程量产做好准备。官方规划显示，到2033年，相关12英寸High NA光刻系统将具备进入先进制程生产的条件。
由此可见，这并非ASML单独推出一种新光罩产品，而是一次涉及光罩制造商、半导体制造商以及相关供应商的产业链协同行动。此外，High NA EUV的其他潜在采用者及主要供应商也已表达加入这一倡议的意愿，表明这一转型目前已获得产业链多方的初步支持。
总结展望
总的来看，从6英寸到12英寸的光罩升级，是High NA EUV生态成熟的关键一环。这一跨越近十年的路线图，不仅关乎设备迭代，更是整个产业链协同创新的缩影。若计划顺利落地，将为2030年后的半导体微缩奠定坚实基础，确保产业持续突破物理极限，驱动未来智能世界的核心算力。
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