打开网易新闻 查看精彩图片

观点网讯：9月8日，英特尔晶圆代工与阿斯麦宣布合作，加速高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻技术的行业落地进程。

英特尔披露，其已通过早期设备认证、研发及部分量产环节，累计处理超过100万片300mm晶圆。这一里程碑距离首台High-NA EUV设备完成组装不到两年半。

高NA EUV已用于英特尔酷睿Ultra 3系列处理器“Panther Lake”部分层的量产。采用高NA EUV的18A制程产品性能达到或超过传统0.33数值孔径EUV平台的同类层。

双方还将推动光罩从目前的6英寸向6×12英寸大尺寸过渡，并通过光罩拼接技术，让客户在现有6英寸光罩条件下获得高NA EUV的部分优势。采用英特尔18A及后续制程的芯片客户与半导体产业链将受上述技术路线影响。

免责声明：本文内容与数据由观点根据公开信息整理，不构成投资建议，使用前请核实。