国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司取得一项名为“一种基于位置优化的磁屏蔽封装结构及磁随机存储器”的专利，授权公告号CN224734162U，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种基于位置优化的磁屏蔽封装结构及磁随机存储器，应用于芯片封装领域，包括芯片、引线框架、塑封体和上下结构对称的磁屏蔽结构；磁屏蔽结构沿上下对称结构的中部形成有中部对称面；芯片设置在磁屏蔽结构围成的空间内，且芯片包括磁敏感层，磁敏感层与中部对称面间的间距小于预设值；预设值为根据芯片的最低磁屏蔽效率需求设置的距离值；芯片与引线框架电连接；塑封体将芯片、引线框架和磁屏蔽结构封装在内。本实用新型通过设置磁屏蔽结构上下对称，且芯片的磁敏感层与中部对称面间的间距小于预设值，能够使芯片中的磁敏感层所在位置处，磁场的竖直分量抵消，减少该磁敏感层受竖直磁场的影响，提高芯片的抗磁性能。

天眼查资料显示，浙江驰拓科技有限公司，成立于2016年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本17714.088889万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江驰拓科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目102次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息513条，此外企业还拥有行政许可8个。

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作者：情报员