2026年无锡半导体展上，长江存储研发副总经理冯耀斌公开报告。他透露，Xtacking晶栈架构已被美日韩闪存企业效仿。三星、SK海力士、铠侠、美光最新产品均采用类似技术。
10年前，中国存储芯片自给率为0%。闪存和内存全部依赖海外，100%市场被瓜分。
2016年，三大存储企业成立。合肥长鑫和福建晋华做DRAM，武汉长江存储做NAND闪存。
晋华与台联电合作，引入32nm工艺，想快速量产。2017年美光起诉，2018年美国制裁晋华，切断设备渠道，进度受影响。
长鑫先买专利，再全球招人，稳步发展。在AI时代内存短缺中找到突破口。
长江存储2016年创立时，与国际差距约3年。2018年实现32层闪存堆叠，并发布Xtacking架构。
该架构在两片晶圆上分别加工外围电路和存储单元，再用混合键合合二为一。减少芯片面积，提升存储密度。
2020年，基于Xtacking实现64层堆叠。搭载到华为Mate40 Pro等机型。长江提供颗粒，海思封装优化，即SFS1.0。
2021年实现128层，紧追国际巨头。2022年率先实现232层，领先美日韩。
也在这个时期，长江存储遭美国制裁，先进设备供应被切断。
冯耀斌指出，长江存储选择与供应链合作，进行国产化突围。经过一两年磨合，已实现去美化研发生产体系。
随后他透露，三星、SK海力士、铠侠、美光四家巨头，均已在最前沿产品采用与Xtacking一样的技术架构。
2025年，三星主动与长江存储达成专利合作，采用Xtacking混合键合技术制造下一代10nm闪存。这证明长江存储在闪存领域已处领先。
美国已在逻辑、内存、闪存三大板块限制中国企业。14nm及以下逻辑、18nm及以下内存、128层及以上闪存设备全部封锁。
最新match法案将范围扩大到成熟制程。持续断供敲响警钟，解决卡脖子问题迫在眉睫。
长江存储正建立国产化制造体系。与中微半导体开发刻蚀机，与北方华创开发刻蚀、薄膜、清洗设备。
与华海清科开发抛光设备，与上海微电子开发光刻设备。只要能叫出名的中国本土设备企业，都是长江存储的深度合作伙伴。
依托技术实力和市场规模，牵引国产设备形成自主可控制造流程。这是长江存储的目标，也是中国半导体面向未来的趋势。
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