国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“增强的氘迁移”的专利，公开号CN122743992A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明技术的实施方式可包括半导体处理方法及系统。方法包括使含氘前体及含硅前体流至处理腔室的处理区域中。方法包括使安置在所述处理区域中的半导体元件与所述含氘前体及所述含硅前体接触。方法包括在大于或约为350℃的处理温度下在所述半导体元件之上或其上形成含氘介电膜。方法包括通过来自所述含氘介电膜的氘钝化所述目标区域。方法包括其中所述含氘介电膜与所述目标区域隔开或相邻。

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作者：情报员