国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有超通孔结构的堆叠MRAM”的专利，公开号CN122743971A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，提供了一种存储器结构，其包括第一层级和第二层级，第一层级包括多个第一磁阻随机存取存储器（MRAM）单元，第二层级包括多个第二MRAM单元。每个第二MRAM单元位于每个第一MRAM单元上方并且从其水平偏移。每个第一MRAM单元夹在底部导电通孔结构和顶部导电超通孔结构之间，并且每个第二MRAM单元夹在底部导电超通孔结构和顶部导电通孔结构之间。

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作者：情报员