国家知识产权局信息显示，盛吉盛半导体科技股份有限公司申请一项名为“低介电薄膜沉积方法”的专利，公开号CN122727762A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请属于半导体工艺技术领域，公开一种低介电薄膜沉积方法，包括：成核阶段步骤：采用高频与低频的第一功率比在基板表面形成第一膜层，第一功率比中，低频功率占比最低至零；生长阶段步骤：采用高频与低频的第二功率比在第一膜层表面形成第二膜层，使得离子能量分解OMCTS的Si‑O环键并且不破坏甲基的C‑H键；封盖阶段步骤：采用高频与低频的第三功率比在第二膜层表面形成第三膜层，所述第三功率比是在第二功率比的基础上增加低频功率占比或减少高频功率占比，从而提高第三膜层的蚀刻耐受性。本申请通过三个阶段分别设置高频和低频的功率比，可以提高第一膜层与基板之间的粘附性，降低晶圆间k值偏差，提高薄膜的蚀刻耐受性。

天眼查资料显示，盛吉盛半导体科技股份有限公司，成立于2018年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本107022.0044万人民币。通过天眼查大数据分析，盛吉盛半导体科技股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目50次，财产线索方面有商标信息60条，专利信息274条，此外企业还拥有行政许可13个。

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作者：情报员