国家知识产权局信息显示，合肥拓镓半导体科技有限责任公司申请一项名为“一种批量制备氮化铝的方法及装置”的专利，公开号CN122725208A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种批量制备氮化铝的方法及装置，具体涉及无机非金属材料制备技术领域，该方法包括：将金属铝经真空及惰性气体预处理后，在蒸发舟内加热蒸发形成超微细铝雾滴；再经非接触式等离子体离子化处理，转化为熔融态高活性铝离子或铝粒子；随后引入氮化反应器中与氮源在850℃～1150℃下进行连续氮化反应，生成氮化铝晶粒；经快速冷却后分级收集。本发明还公开了实现该方法的装置，沿物料流向依次流体连通地包括预处理器、蒸发器、离子化器、氮化反应器、冷却器和颗粒分类器。本发明实现了氮化铝的连续化批量生产，具有产品纯度高、氮化反应充分、粒度可控、工艺流程连续且适合规模化生产等优点。

天眼查资料显示，合肥拓镓半导体科技有限责任公司，成立于2026年，位于合肥市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本5万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥拓镓半导体科技有限责任公司专利信息2条。

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作者：情报员