国家知识产权局信息显示，北京紫亦芯集成电路有限公司申请一项名为“具备电磁脉冲屏蔽的三维晶片堆叠封装结构及制造方法”的专利，公开号CN122742724A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种具备电磁脉冲屏蔽的三维晶片堆叠封装结构及制造方法，包括晶片预处理、低温绝缘层沉积、复合屏蔽层制备、TSV通孔及焊盘制作、低温热压键合、垂直防护通孔制备及屏蔽接地连通；第一晶片与第二晶片贴合界面设有该复合屏蔽层，阻断层间横向电磁脉冲；外周通过垂直铜柱与边缘接地经导电金属层低阻导通，合围成360°封闭式法拉第笼，消除侧边屏蔽盲区；内部信号传输铜柱与屏蔽回路全程电气隔离，杜绝信号串扰；封装体仅外露接地端与信号端口。屏蔽效能≥80dB，接地电阻≤0.1Ω，可有效抵御纳秒级瞬态高功率EMP冲击，解决了传统封装层间串扰、侧边电磁侵入及屏蔽结构干扰信号等问题。

天眼查资料显示，北京紫亦芯集成电路有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本21000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京紫亦芯集成电路有限公司参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息46条，此外企业还拥有行政许可1个。

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作者：情报员