国家知识产权局信息显示，能创半导体股份有限公司取得一项名为“半导体装置”的专利，授权公告号CN224760614U，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本实用新型提供一种半导体装置，包含第一导电垫、第一介电层、导线结构、第二介电层与第二导电垫。第一介电层在第一导电垫上。导线结构在第一介电层上并贯穿第一介电层并电性连接至第一导电垫。第二介电层在导线结构与第一介电层上，第二介电层具有开口。第二导电垫在导线结构上与第二介电层的开口中，其中第二导电垫的侧壁接触第二介电层的开口的侧壁，且第二导电垫的顶表面低于第二介电层的顶表面。本实用新型所形成的导电垫具有较高的结构稳定性以提升打线品质。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员