国家知识产权局信息显示，云南鑫耀半导体材料有限公司取得一项名为“一种改善砷化镓单晶片总厚度偏差的方法”的专利，授权公告号CN118682573B，申请日期为2024年6月。

天眼查资料显示，云南鑫耀半导体材料有限公司，成立于2013年，位于昆明市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48601.064401万人民币。通过天眼查大数据分析，云南鑫耀半导体材料有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目23次，专利信息99条，此外企业还拥有行政许可12个。

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作者：情报员