在目前大规模的芯片制造中，光刻工艺是唯一的办法。
而光刻就必须用到光刻机，过去的这几十年，一直是光刻机的进步，推动着整个芯片产业的发展。
从DUV光刻机，到浸润式DUV，再到EUV光刻机，不同的光刻机对应着不同的芯片工艺，如果光刻机停止前进了，意味着芯片工艺也停止前进了。
所以，当美国想要卡住我们芯片产业前进的脚步时，就直接掐断了EUV光刻机的供应，美国觉得没有了EUV光刻机，那么中国就不可能制造出7nm以下的芯片。
如果中国要想进入7nm以下的工艺，就只有研发出EUV光刻机来，否则就不可能。
而研发EUV光刻机，实在是太难了，ASML、蔡司等巨头都先后表示，中国肯定是可以研发出EUV光刻机来的，但至少要10年以上的时间。
因为它们清楚，研发EUV光刻机，需要涉及到光源、物镜系统等等核心技术，而这些技术早就掌握在美国、欧洲等企业的手中，它们不对中国提供，如果中国要从0研发，最快也要10年以上。
并且它们认为，这只是说的好听一点，实际上10多年都不一定研发的EUV出来，毕竟所有的核心供应链，都被ASML绑定了，中国要建立全套供应链，这个难度，真的比造原子弹还难。
不过，他们没有想到的是，中国并不需要研发EUV，就能够让芯片工艺进入7nm以下，我们换了条道路走，真正的换道超车。
这次是韬定律，直接改写了以往芯片前进的定律，以前芯片产业前进的定律是摩尔定律，是几何微维，或者说是晶体管微缩，靠缩小芯片内部的晶体管，来达到工艺进步，性能提升的目的。
而几何微维，需要光刻机的分辨率不断提升，才能刻出更小的晶体管，所以就从DUV到EUV，再到High NA EUV。
但韬定律不一样，它是改变芯片内部结构，并不靠微缩内部的晶体管，这样晶体管大小可以在保持不变，但通过垂直结构，立体结构等，同样信号传输时间，同样提高性能，相当于就是工艺进步了。
目前华为已经发布了这一颗芯片，经测试，这一颗芯片真的以7nm的工艺，实现了3nm的水平，这也就意味着不需要EUV，我们一样进入了7nm以下，真正换道成功了。
这也代表着卡住EUV没有意义，所谓的什么落后10年这些，都是一个笑话了，我们不按对方的规则出牌了，这让ASML们怎么办？
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