国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种GaN基的LED外延结构及其制备方法、LED芯片”的专利，公开号CN122766130A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种GaN基的LED外延结构及其制备方法、LED芯片，属于半导体领域。LED外延结构包括衬底及依次层叠于衬底上的缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱有源区、电子阻挡层、P型GaN层及P型接触层。N型GaN层中形成施主‑受主部分补偿结构，其分为Si掺杂的底部N型初始层、Zn‑Si协同掺杂的中部Zn补偿掺杂层和Si掺杂的顶部N型过渡层。本发明通过在N型GaN层中引入施主‑受主补偿型锌掺杂，利用锌受主对硅施主的部分电荷补偿，在空间上产生非均匀净电荷分布，在靠近MQW区一侧形成局部导带上翘，对电子实现预过滤，从源头减少过剩电子注入MQW区。

天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1761条，此外企业还拥有行政许可62个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员