国家知识产权局信息显示，重庆奕能科技有限公司申请一项名为“沟槽型半导体器件的制作方法”的专利，公开号CN122765994A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明提供一种沟槽型半导体器件的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成第一外延层；在所述第一外延层上沉积介质层；对所述介质层图案化，形成多个第一图案化结构，各个所述第一图案化结构之间形成有开口区，所述开口区暴露所述第一外延层；在所述开口区形成第二外延层；去除所述第一图案化结构，形成沟槽结构。

天眼查资料显示，重庆奕能科技有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1613.9372万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆奕能科技有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息2条，专利信息94条，此外企业还拥有行政许可2个。

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作者：情报员