国家知识产权局信息显示，重庆奕能科技有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、功率模块”的专利，公开号CN122766024A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、功率模块，包括在半导体层内形成沟槽，在沟槽的拐角区形成第一介质层，其中，第一介质层在沟槽的拐角区具有局部增大的厚度。本申请通过在沟槽的拐角区覆盖具有局部厚度增大的第一介质层，并利用第一介质层将沟槽与第二介质层间隔，有利于在不引入界面缺陷与晶格损伤的前提下，利用具有厚度局部增大的第一介质层优化沟槽拐角区的电场分布，抑制沟槽拐角区的尖端电场集中现象，使半导体器件满足在超高电场工作条件下稳定性和可靠性应用要求。

天眼查资料显示，重庆奕能科技有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1613.9372万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆奕能科技有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息2条，专利信息94条，此外企业还拥有行政许可2个。

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作者：情报员