国家知识产权局信息显示，上海炬仁半导体有限公司申请一项名为“一种双向超低电容低开启电压瞬态抑制保护器件”的专利，公开号CN122766045A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种双向超低电容低开启电压瞬态抑制保护器件，采用高阻衬底，以高阻衬底作为共用门极形成两个横向对称SCR结构，这种结构利用寄生三极管打开SCR，两个第一阱和第三阱中间通过第二阱隔离，用来调整开启电压，第二阱中第四阱用于减小漏电。同时本申请在结构上去掉现有技术结构中的并联正向二极管，降低了寄生电容，同时降低了钳位电压和维持电压，解决实际应用中对防护器件的特殊需求。

天眼查资料显示，上海炬仁半导体有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海炬仁半导体有限公司专利信息4条。

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作者：情报员