国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“多次可编程存储器件及其制造方法”的专利，公开号CN122765957A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明提供一种多次可编程存储器件及其制造方法，器件包括：内设浅沟槽隔离和阱区的衬底；跨越阱区延伸至浅沟槽隔离上方的浮栅；选择性保留于浅沟槽隔离上方浮栅周围并覆盖浮栅顶部的侧墙介质层；覆盖上述结构的层间介质层；贯穿层间介质层的顶部及侧面控制栅接触孔。其底部和侧面分别通过所述侧墙介质层及层间介质层与浮栅耦合。本发明将传统的结隔离转变为介质层隔离，打破了控制栅电压受限的瓶颈，无需大幅增加面积即可提高耦合效率和耐压能力，有效降低器件漏电，提升编程效率。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2953次，专利信息2185条，此外企业还拥有行政许可119个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目947次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7955条，此外企业还拥有行政许可465个。

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作者：情报员