国家知识产权局信息显示，能创半导体股份有限公司取得一项名为“半导体装置”的专利，授权公告号CN224760557U，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本实用新型公开一种半导体装置，包含第一导电型的磊晶层设置于第一导电型的基底上，沟槽设置于磊晶层中，闸极电极和屏蔽电极纵向分离且均设置于沟槽内，其中闸极电极的最低底面高于屏蔽电极的最高顶面。第二导电型的基体区设置于磊晶层中，邻接沟槽的侧面，其中基体区的最低底面齐平或低于屏蔽电极的最高顶面。第一导电型的源极区设置于基体区内，位于基体区的顶面，邻接沟槽的侧面，以及汲极电极设置于基底的下方。

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作者：情报员