恩特格里斯申请制备有机锡化合物专利,产物适于在极紫外光刻技术中沉积高纯度氧化锡膜
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国家知识产权局信息显示,恩特格里斯公司申请一项名为“制备有机锡化合物的方法”的专利,公开号CN122749581A,申请日期为2022年1月。
专利摘要显示,本申请涉及制备有机锡化合物的方法。本发明提供一种用于制备具有烷基及烷基氨基取代基的某些有机锡化合物的便利方法。所述方法以高度纯形式提供有机锡前驱化合物,例如三(二甲基酰胺基)异丙基锡。因此,所述方法的产物尤其适于在例如用于微电子装置制造中的极紫外光(EUV)光刻技术中沉积高纯度氧化锡膜。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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