国家知识产权局信息显示，发明与合作实验室有限公司申请一项名为“SRAM单元”的专利，公开号CN122761929A，申请日期为2022年3月。

专利摘要显示，SRAM单元包括多个晶体管、耦接多个晶体管的一组接点、电耦接多个晶体管的字节线、电耦接多个晶体管的比特线和比特线条、电耦接多个晶体管的VDD接线，电耦接多个晶体管的VSS接线。其中，随着SRAM单元，在不同技术节点的最小特征尺寸（λ）逐渐变小，由最小特征尺寸的平方表示之该SRAM单元的面积尺寸相同或基本相同。

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作者：情报员