国家知识产权局信息显示，重庆自行者科技有限公司申请一项名为“一种低损耗陀螺用埋入式二氧化硅波导的晶圆级制备方法”的专利，公开号CN122755163A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明提供了一种低损耗陀螺用埋入式二氧化硅波导的晶圆级制备方法，属于集成光学波导制造技术领域，所述方法包括：提供第一硅晶圆并热氧化形成二氧化硅目标层；对二氧化硅目标层进行CMP平坦化，形成Ra小于0.5nm的待键合面；对待键合面和第二硅晶圆的配合键合面进行RCA清洗和氧等离子体处理；在室温下贴合预键合，并在氮气气氛中退火形成Si—O—Si键合界面；去除第一硅晶圆以显露二氧化硅目标层；经波导光刻与刻蚀形成二氧化硅波导条；再形成覆盖二氧化硅层，使二氧化硅波导条埋设于第二硅晶圆与覆盖二氧化硅层之间。本发明能够用于制备传输损耗小于0.08dB/cm、偏振相关损耗小于0.01dB的陀螺用埋入式二氧化硅波导晶圆。

天眼查资料显示，重庆自行者科技有限公司，成立于2019年，位于重庆市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2383.793323万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆自行者科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息40条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员