国家知识产权局信息显示，重庆奕能科技有限公司申请一项名为“碳化硅外延片及其制备方法、碳化硅器件及电子设备”的专利，公开号CN122751342A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，一种碳化硅外延片及其制备方法、碳化硅器件及电子设备。该制备方法包括：保持反应腔室温度和压力在一定范围内，通入气浮氩气和氢气，对衬底进行原位蚀刻；保持反应腔室的温度、压力、气浮氩气流量和氢气流量不变，注入硅源、碳源和导电掺杂源，生长缓冲层；保持反应腔室的温度、压力、气浮氩气流量和氢气流量不变，调整硅源、碳源和导电掺杂源的流量，进行外延生长形成外延层；保持反应腔室的温度和压力不变，停止通入生长气体，保持氢气流量不变，并增大气浮氩气流量，进行0.5~1.5min的原位蚀刻。本申请通过在外延生长完成后引入原位刻蚀工艺，能有效降低基平面位错的密度，提高外延片的质量和器件可靠性。

天眼查资料显示，重庆奕能科技有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1613.9372万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆奕能科技有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息2条，专利信息99条，此外企业还拥有行政许可2个。

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作者：情报员