国家知识产权局信息显示，群创光电股份有限公司申请一项名为“薄膜晶体管基板”的专利，公开号CN122766041A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本公开提供一种薄膜晶体管基板，其包括基板、第一栅极、半导体层、第二栅极、源极以及漏极。第一栅极设置在基板上且包括第一侧边和第二侧边。半导体层设置在第一栅极上。第二栅极设置在半导体层上且包括第三侧边和第四侧边。源极设置在半导体层上且邻近第一侧边和第三侧边。漏极设置在半导体层上且邻近第二侧边和第四侧边。第二栅极重叠于第一栅极。第一侧边与第三侧边相距第一距离，第二侧边与第四侧边相距第二距离，且第一距离与第二距离之间的差值的绝对值大于或等于0微米且小于或等于3微米。

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作者：情报员