国家知识产权局信息显示，西安唐晶量子科技股份有限公司申请一项名为“基于XRD图谱的EEL外延层晶格失配度分析方法及系统”的专利，公开号CN122775679A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明属于半导体材料物理性质测试技术领域，涉及一种基于XRD图谱的EEL外延层晶格失配度分析方法及系统，包括：获取待测外延片在相差180°方位角下的两组衍射强度分布数据；提取外延层衍射峰背底尾部的不对称轮廓参数，据此确定两组表观衍射角距；计算表观衍射角距的算术平均值，利用物理对称性规律消除晶面倾斜引入的几何偏差，进而确定本征布拉格角距并计算晶格失配度，本发明通过非对称轮廓提取与双方位角约束，有效剥离多层异质结构中动力学干涉引发的包络畸变，实现晶格应变与几何偏角的物理退耦，提升在低失配度工况下的解析精度，为外延生长工艺提供准确的物理依据。

天眼查资料显示，西安唐晶量子科技股份有限公司，成立于2017年，位于西安市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本4263.199062万人民币。通过天眼查大数据分析，西安唐晶量子科技股份有限公司参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可19个。

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作者：情报员