国家知识产权局信息显示，华邦电子股份有限公司申请一项名为“半导体存储器结构及其形成方法”的专利，公开号CN122784080A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体存储器结构及其形成方法，半导体存储器结构包括基底、第一字线、第二字线以及位线结构。第一字线以及第二字线埋置于基底中。位线结构从第一字线以及第二字线之间的基底中延伸至基底上。位线结构包括第一导电层、氮化钛硅层以及第二导电层。氮化钛硅层位于第一导电层上。氮化钛硅层包括下部以及上部。下部的硅原子百分比大于上部的硅原子百分比。第二导电层位于氮化钛硅层上。

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作者：情报员