国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法”的专利，公开号CN122784398A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供晶圆结构。将第一晶圆接合于晶圆结构。第一晶圆包括第一基底与位于第一基底上的第一元件层。在将第一晶圆接合于晶圆结构之后，在第一基底中形成第一开口。第一开口暴露出第一元件层。在第一基底上与第一开口中形成介电层。在介电层中形成穿过第一开口的第一基底穿孔。第一基底穿孔延伸至第一元件层中。

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作者：情报员