一直以来，长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）分别主攻DRAM和NAND闪存，都取得了不错的成绩。不过在人工智能（AI）热潮推动下，存储市场也在不断发展，新型存储产品可能是一种混合型设计，比如闪迪与SK海力士发布的下一代存储技术高带宽闪存（HBF，High Bandwidth Flash）。这意味着存储产品类型变得更为复杂，不再是单一地以DRAM和NAND闪存构成，而三大原厂都是两者兼备，能更好地应付市场和技术的变化。

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据TrendForce报道，长鑫存储正准备进入快速增长的NAND闪存市场，已经与潜在的客户讨论了其计划。长鑫存储打算在北京新建工厂建造NAND闪存研发生产线，并建立研发中心，暂时还不清楚具体时间表。

其实更早之前就有消息称，长江存储计划大幅扩张产能，在即将完工的一座工厂基础上再建两座工厂。长江存储也打算进军DRAM领域，三座新工厂的部分产能将用于DRAM生产，具体分配情况取决于其开发方面的进度。目前长江存储已经向客户发送了LPDDR样品，预计今年年底前会收到使用反馈，这将是未来DRAM生产的重要决策参考。

目前长鑫存储和长江存储都在推进重大投资和融资计划，都希望在这一轮存储行情中寻找更多机会，扩大市场份额。随着长鑫存储上市成功，长江存储也在加速推进科创板IPO，拟募资330亿元，将超过长鑫存储的295亿元和中芯国际（SMIC）的200亿元，创造科创板最高拟募资金额纪录。