盘面上，两市高开震荡，芯片设计概念上涨。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中涨1.05%，成交额达1667.54万元；换手率达0.79%。成分股中，聚辰股份涨超5%，杰华特、龙迅股份、澜起科技等多股跟涨。

科创芯片设计ETF天弘（589070）最近30个交易日累计获资金净流入2.14亿元。截至2026年9月18日，该基金最新规模为20.98亿元。

科创芯片设计ETF天弘（589070）具备20%涨跌幅的弹性，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比高达96.1%，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，成长空间可期。该ETF还配备了2只场外联接基金（A类：027574；C类：027575）。

消息面上，据证券时报，长鑫科技在世界制造业大会上宣布，其第五代DRAM技术平台（G5平台）已实现量产。该平台基于创新的四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球顶尖制程水平。依托这一突破，基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已全面进入国产主流旗舰手机。值得注意的是，每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%，显著增强了产品在能效与成本上的竞争力。

五矿证券指出，芯片设计正从制程微缩向“高算力密度”与“高传输效率”双向演进，这重塑了关键金属需求，如锆、铪、钽等成为先进制程与3D堆叠技术的不可替代材料，具备战略投资价值。

风险提示：成分股仅为客观展示，不代表个股推荐。本文观点不构成任何投资建议，市场有风险，投资需谨慎，指数基金存在跟踪误差，请投资人独立判断和决策。数据来源：wind。