国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN122803696A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构的制备方法，其包括：提供衬底，在所述衬底上形成缓冲层，在所述缓冲层上形成硬掩膜层；形成贯穿所述硬掩膜层和所述缓冲层且延伸至所述衬底中的沟槽，其中，所述沟槽围合成封闭图形；去除所述沟槽围合的区域内的所述硬掩膜层和所述缓冲层，以形成开口，其中，所述沟槽和所述开口露出的所述衬底呈现中间高四周低的形貌；对所述沟槽和所述开口露出的所述衬底进行局部热氧化，以形成氧化层；通过CMP工艺对所述氧化层和所述硬掩膜层的上表面进行平坦化。本申请的技术方案可以有效减少CMP工艺过程中划痕的产生。

天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目197次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息1147条，此外企业还拥有行政许可57个。

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作者：情报员