国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN122803697A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构的制备方法，其包括：提供衬底，在衬底上部形成第一沟槽，其中，第一沟槽围合成封闭图形，且第一沟槽的截面的底部尺寸大于第一沟槽的截面的顶部尺寸；在衬底上形成缓冲层，在缓冲层上形成硬掩膜层，其中，缓冲层封闭第一沟槽的上部开口，以使第一沟槽处形成空腔；图案化硬掩膜层，其中，图案化的硬掩膜层中的开口图案在衬底上的投影位于封闭图形内；以图案化的硬掩膜层为掩膜，通过刻蚀工艺形成贯穿缓冲层且延伸至衬底中的第二沟槽，其中，第二沟槽与空腔不连通；对第二沟槽内壁的衬底进行局部热氧化，以形成氧化层；通过CMP工艺对氧化层和硬掩膜层的上表面进行平坦化。本申请可以减少CMP工艺中划痕的产生。

天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目197次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息1147条，此外企业还拥有行政许可57个。

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作者：情报员