谊虹科技申请电致吸收调变器专利,具有第一介电层中心部分厚度大致等于凹槽深度的效果
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国家知识产权局信息显示,谊虹科技股份有限公司申请一项名为“电致吸收调变器”的专利,公开号CN122794708A,申请日期为2025年7月。
专利摘要显示,本发明提供一种电致吸收调变器,包括:基板;波导区域,位于基板的第一表面,且包括光波导与一对沟槽,此一对沟槽位于光波导的两侧,并具有第一深度;至少一凹槽,位于波导区域的外侧,具有大于第一深度的第二深度;以及第一介电层,位于凹槽中,此第一介电层包括中心部分,且中心部分的第一介电层的第一厚度大致等于第二深度。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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