国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种用于改善MIM电容电场均匀性的上下极板表面处理方法”的专利，公开号CN122803296A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明公开了一种用于改善MIM电容电场均匀性的上下极板表面处理方法，包含：形成下极板；通过氧等离子体氧化处理下极板表面，形成第一厚度的第一缓冲层；在所述第一缓冲层上形成电容介质层；在所述电容介质层上形成第二厚度的材料层；通过氧等离子体氧化处理所述第二厚度的材料层，使所述第二厚度的材料层全部转换为第二缓冲层；在所述第二缓冲层上形成上极板；其中，所述第一缓冲层与所述下极板的成分组成中包括相同的金属元素；所述第二缓冲层与所述上极板的成分组成中包括相同的金属元素。本发明的方法形成的MIM电容的综合性能，如，漏电流、击穿电压、稳定性等显著优化，可以满足高动态范围(HDR)CMOS图像传感器对低噪声、高可靠性的严苛需求。

天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目22次，专利信息188条，此外企业还拥有行政许可112个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员