国家知识产权局信息显示，北京中科国光量子科技有限公司申请一项名为“面向高密度集成的硅光量子波导阵列芯片及参数优化方法”的专利，公开号CN122794585A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明涉及硅光量子芯片集成技术领域，公开了一种面向高密度集成的硅光量子波导阵列芯片及参数优化方法，芯片包括硅基衬底、埋氧层、硅波导芯层、上包层、多条量子光传输波导，硅波导芯层设置于埋氧层上方，并通过刻蚀形成多条量子光传输波导；上包层覆盖于硅波导芯层及量子光传输波导上方，不同相邻波导之间设置的非均匀间距区域、非对称传播常数失配区域及局部隔离辅助结构区域构成低串扰结构。与现有技术相比，本发明可将芯片横向空间优先分配给串扰敏感区域，减少统一大间距设计造成的面积浪费；可对高风险区域进行补充抑制，并减少连续隔离结构带来的附加损耗，整体提高波导阵列在高密度布局条件下的串扰抑制能力和制造适应性。

天眼查资料显示，北京中科国光量子科技有限公司，成立于2021年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本213.5399万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中科国光量子科技有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息27条，专利信息68条，此外企业还拥有行政许可3个。

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作者：情报员