国家知识产权局信息显示，宇腾（铜川）半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓外延片位错缺陷的无损检测方法”的专利，公开号CN122793757A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种氮化镓外延片位错缺陷的无损检测方法，属于半导体材料检测技术领域。该方法包括：向待检测氮化镓外延片表面入射双波长激光束，并同步采集反射干涉图与透射衍射斑纹；根据反射干涉图提取干涉相位梯度分布，根据透射衍射斑纹提取衍射斑纹展宽系数；将干涉相位梯度分布与衍射斑纹展宽系数按空间坐标对齐后融合处理，构建位错应变场空间分布数据；根据位错应变场空间分布数据重构位错缺陷的空间图谱；根据空间图谱中应变场奇异性特征点的聚集区域识别位错类型；根据位错类型及空间图谱中应变场梯度幅值的衰减曲线确定各深度层的位错密度分布。

天眼查资料显示，宇腾（铜川）半导体有限公司，成立于2021年，位于铜川市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1500万人民币。通过天眼查大数据分析，宇腾（铜川）半导体有限公司参与招投标项目2次，专利信息9条，此外企业还拥有行政许可4个。

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作者：情报员