国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法以及存储器系统”的专利，公开号CN122803281A，申请日期为2021年12月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：形成第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：第一半导体层、设置于所述第一半导体层的第一表面上的堆叠结构、设置于所述第一半导体层和所述堆叠结构上的第一绝缘层以及贯穿所述第一绝缘层和所述第一半导体层的第一接触结构；在所述第一半导体层的与所述第一表面相对的第二表面上形成第二绝缘层；以及同时形成贯穿所述第二绝缘层的第二接触结构和源极触点，所述源极触点与所述第一半导体层接触，所述第二接触结构与所述第一接触结构接触。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1492次，财产线索方面有商标信息1034条，专利信息6293条，此外企业还拥有行政许可1243个。

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作者：情报员