国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“氮化镓基电子芯片”的专利，公开号CN122803370A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本公开涉及氮化镓基电子芯片。本公开涉及用于制造电子芯片的方法。一种示例方法，包括以下连续步骤：a)在氮化镓基堆叠的顶面上形成互连结构，该氮化镓基堆叠依次布置在半导体基板的顶面上；b)在互连结构的顶面上布置第一绝缘层；c)在第一绝缘层的顶面上形成树脂蚀刻掩模，然后在每个电子芯片的周边区域内通过树脂蚀刻掩模蚀刻第一绝缘层和互连结构，直到暴露氮化镓基堆叠的顶面；d)使用第一绝缘层作为蚀刻掩模相对于周边区域蚀刻氮化镓基堆叠，直到暴露半导体基板的顶面；以及e)切割半导体基板，以使电子芯片单个化。

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作者：情报员