国家知识产权局信息显示，杰平方半导体（上海）有限公司申请一项名为“WAT测试结构及其制造方法、接触孔的套刻偏移量测试方法”的专利，公开号CN122803679A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明公开了一种WAT测试结构及其制造方法、接触孔的套刻偏移量测试方法，属于半导体测试技术领域，该WAT测试结构，包括薄膜堆栈结构；多晶硅图形，形成在所述薄膜堆栈结构上，所述多晶硅图形为包括若干多晶硅条的叉指图形，所述多晶硅条之间通过共接区互连；多个接触孔，至少部分的接触孔交叠在对应的所述多晶硅条上；互连金属，设置在所述接触孔的顶部，用于向所述接触孔施加电压进行测试。通过将多晶硅图形设置成叉指图形，再形成与多晶硅条存在交叠的接触孔，通过互连金属引出，从而向接触孔施加电压测试电流变化来表征套刻偏移量。

天眼查资料显示，杰平方半导体（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本8430.1797万人民币。通过天眼查大数据分析，杰平方半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息31条，专利信息93条，此外企业还拥有行政许可2个。

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作者：情报员