来源：新浪证券-红岸工作室

9月24日消息，国家知识产权局信息显示，江苏宏微科技股份有限公司申请一项名为“二极管器件及其制作方法”的专利，授权公告号CN116314272B，授权公告日为2026年9月22日。申请公布号为CN116314272A，申请号为CN202310310085.2，申请公布日期为2026年9月22日，申请日期为2023年3月27日，发明人张景超、戚丽娜、林茂、井亚会、俞义长、赵善麒，专利代理机构常州佰业腾飞专利代理事务所（普通合伙），专利代理师厉丹彤，分类号H10D62/10、H10D8/00、H10D8/01。

专利摘要显示，本发明提供一种二极管器件及其制作方法，其中，所述二极管器件包括：阴极金属层；N+衬底，所述N+衬底位于所述阴极金属层之上；N‑漂移区，所述N‑漂移区外延形成于所述N+衬底之上；高阻抗元胞结构，所述高阻抗元胞结构为多个，多个所述高阻抗元胞结构相间隔地排布于所述N‑漂移区的上部，每个所述高阻抗元胞结构包括两个P+型离子注入区和位于两个所述P+型离子注入区之间的阻抗区；阳极金属层，所述阳极金属层位于所述N‑漂移区之上。本发明能够增强二极管器件的浪涌能力。

宏微科技是国内功率半导体领域领先企业，核心产品覆盖IGBT、FRED相关器件，具备全产业链布局优势。公司成立于2006年8月18日，于2021年9月1日登陆上海证券交易所，注册地与办公地均位于江苏省常州市。

宏微科技主营业务为IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售，申万行业分类隶属于电子-半导体-分立器件，同时覆盖功率半导体、专精特新、汽车芯片三大概念板块。

2026年上半年，宏微科技实现营业收入7.38亿元，在所属18家同行业企业中排名第10，低于行业平均数14.07亿元与行业中位数8.32亿元，同期行业内营收排名前两位的企业分别为士兰微（72.62亿元）、扬杰科技（45.15亿元）。从主营业务构成来看，模块(封装)贡献营收5.83亿元，占比79.02%；单管(封装)贡献营收1.29亿元，占比17.48%；受托加工业务实现营收1546.87万元，占比2.10%，其中芯片业务占比0.81%、其他业务占比0.59%。盈利端，公司当期净利润为-354.82万元，行业排名14/18，大幅低于行业平均数9942.33万元与行业中位数5390.72万元，同期行业净利润前两位企业为扬杰科技（7.57亿元）、源杰科技（6.07亿元）。

指标类别 具体项目 数值 行业维度情况 营业收入 2026年上半年营收 7.38亿元 行业排名10/18，低于行业均值14.07亿元、中位数8.32亿元，头部士兰微、扬杰科技分别达72.62亿元、45.15亿元 营收构成 模块(封装)营收及占比 5.83亿元，79.02% 核心营收来源 营收构成 单管(封装)营收及占比 1.29亿元，17.48% 第二大营收板块 营收构成 受托加工业务营收及占比 1546.87万元，2.10% 含芯片业务599.75万元占比0.81%、其他业务436.93万元占比0.59% 净利润 2026年上半年净利润 -354.82万元 行业排名14/18，低于行业均值9942.33万元、中位数5390.72万元，头部扬杰科技、源杰科技分别达7.57亿元、6.07亿元

江苏宏微科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1T型三电平功率单元及功率模块发明专利公布CN202611191678.12026-08-07CN122740637A2026-09-11岳扬、周祥、张海泉、赵善麒2功率芯片嵌入PCB式功率模块及其制备方法发明专利公布CN202610915960.32026-06-24CN122803175A2026-09-22张帅帅、石彩云、张海泉、戚丽娜、赵善麒3功率器件栅极电阻结构、功率器件及功率模块的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610435572.52026-04-03CN122318221A2026-06-30井亚会、周昕、戚丽娜、高鹏、李想、曹安琪、崔崧、赵善麒4沟槽栅SiC MOSFET及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610378472.32026-03-26CN122269742A2026-06-23韩小朋、张景超、戴天祥、马雨鑫、井亚会、戚丽娜、崔崧、赵善麒5平面栅SiC MOSFET及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610378473.82026-03-26CN122269754A2026-06-23韩小朋、张景超、戴天祥、马雨鑫、井亚会、戚丽娜、崔崧、赵善麒6基于多物理场耦合的功率器件寿命预测方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610357330.92026-03-23CN122242420A2026-06-19陈丰野、王群、吴云、王天赐、崔崧、赵善麒7功率半导体模块（GCB-1C）外观专利授权CN202630045679.X2026-01-28CN310095725S2026-07-17周祥、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒8功率半导体模块（GCE-2C）外观专利授权CN202630046481.32026-01-28CN310135652S2026-08-07周祥、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒9IGBT器件及其制备方法发明专利公布CN202511904173.02025-12-17CN121692683A2026-03-17张永旺、井亚会、高鹏、戚丽娜、崔崧、赵善麒10功率半导体模块外观专利授权CN202530700604.62025-11-27CN309993166S2026-05-22张潮、周祥、石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒11高散热功率半导体模块及模块连接组件发明专利实质审查的生效、公布CN202511734929.12025-11-25CN121215634A2025-12-26陈超、张海泉、崔崧、赵善麒12非对称单沟道平面SiC MOSFET器件及制备方法发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202511734931.92025-11-25CN121510617A2026-02-10崔崧、赵善麒、井亚会、张景超、戚丽娜、林茂、戴天祥13功率半导体模块外观专利授权CN202530653483.42025-11-06CN310170179S2026-08-25张潮、周祥、于冠勇、张海泉、崔崧、赵善麒14分离栅IGBT结构及其栅极驱动电路发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202511478844.12025-10-16CN121335120A2026-01-13井亚会、赵善麒、戚丽娜、崔崧、胡爱斌15SiC MOSFET器件及其制备方法发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202511435164.12025-10-09CN121368145A2026-01-20崔崧、赵善麒、井亚会、张景超、戚丽娜、林茂、戴天祥16一种功率模块底板的曲面设计方法发明专利授权CN202511378033.42025-09-25CN120850622B2026-01-23周文科、郑军、张海泉、崔崧、赵善麒17SiC沟槽栅MOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511366576.42025-09-24CN121194488A2025-12-23戴天祥、张景超、戚丽娜、崔崧、赵善麒18具有高K介质埋层的氮化镓结型场效应晶体管器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511015501.12025-07-23CN120857555A2025-10-28刘毅、戚丽娜、崔崧、赵善麒19功率半导体模块液冷散热板及散热模块实用新型授权CN202521437765.12025-07-10CN224653990U2026-08-18徐永哲、岳扬、张海泉、崔崧、赵善麒20高压快恢复二极管芯片及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510867630.72025-06-26CN120659342A2025-09-16林茂、黄郭铖、戚丽娜、崔崧、赵善麒21功率模块实用新型授权CN202521284708.42025-06-23CN224368304U2026-06-16林杰、刘帅帅、张海泉、崔崧、赵善麒22功率半导体模块外观专利授权CN202530339051.62025-06-13CN309784733S2026-02-10周祥、张潮、岳扬、张斌、张海泉、崔崧、赵善麒23栅极开通、关断电阻独立控制的功率模块实用新型授权CN202521206897.32025-06-13CN224343169U2026-06-09李申祥、张敏、张海泉、崔崧、赵善麒24芯片级封装体以及低热阻功率模块实用新型授权CN202521209105.82025-06-13CN224521637U2026-07-17林杰、刘帅帅、艾书博、张海泉、崔崧、赵善麒25SiC MOSFET功率模块实用新型授权CN202521148578.12025-06-06CN224165048U2026-04-24於正新、刘帅帅、张海泉、崔崧、赵善麒26可拆卸式功率模块烧结压头实用新型授权CN202521150628.X2025-06-06CN224178565U2026-04-28岳扬、张海泉、崔崧、赵善麒27高耐压垂直型GaN基MOSFET器件发明专利专利申请权、专利权的转移、实质审查的生效、公布CN202510439355.92025-04-09CN120302688A2025-07-11刘毅、戚丽娜、崔崧、赵善麒28一种半桥封装的单管结构及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510373732.32025-03-27CN120300088A2025-07-11井亚会、周昕、戚丽娜、崔崧、赵善麒29栅极电阻调节结构及功率模块发明专利实质审查的生效、公布CN202510289589.X2025-03-12CN120148994A2025-06-13李申祥、张敏、张海泉、崔崧、赵善麒30二合一功率半导体模块及动力系统实用新型授权CN202520321070.02025-02-26CN223942585U2026-02-24张有诚、张斌、李紫怡、张海泉、崔崧、赵善麒31快恢复二极管芯片及其制备方法发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510073708.82025-01-17CN119947135A2025-05-06黄郭铖、林茂、戚丽娜、崔崧、赵善麒32防硫化的功率模块发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510067300.X2025-01-16CN119650520A2025-03-18石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒33防硫化的功率模块实用新型授权CN202520109221.62025-01-16CN223859674U2026-01-30石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒34功率半导体模块外观专利授权CN202530021859.X2025-01-14CN309455955S2025-08-22张潮、周祥、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒35一种抗辐照SiC功率MOSFET器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411951406.82024-12-27CN119730329A2025-03-28林茂、戚丽娜、张景超、赵善麒36一种多芯片并联碳化硅功率模块实用新型授权CN202423266380.12024-12-27CN223993838U2026-03-13徐永哲、岳扬、张海泉、崔崧、赵善麒37一种新型分体式压接Pin针结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411921373.22024-12-25CN119764894A2025-04-04周祥、周忠卫、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒38一种新型分体式压接Pin针结构实用新型授权CN202423205726.72024-12-25CN223729048U2025-12-26周祥、周忠卫、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒39一种改进HD-GIT结构的HEMT器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411910704.22024-12-24CN119866051A2025-04-22刘毅、崔崧、戚丽娜、赵善麒40一种功率模块液冷散热结构实用新型授权CN202423155976.42024-12-20CN223786523U2026-01-09岳扬、张海泉、赵善麒41一种功率器件高温反偏试验温度确定方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411767125.72024-12-04CN119716444A2025-03-28王群、吴云、王天赐、崔崧、赵善麒42一种基于功率半导体应用防止散热材料溢出的结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411623029.52024-11-14CN119314959A2025-01-14陈超、张海泉、崔崧、刘毅、赵善麒43功率半导体模块外观专利授权CN202430721701.92024-11-14CN309468123S2025-08-29周祥、张斌、张海泉、崔崧、赵善麒44一种基于功率半导体应用防止散热材料溢出的结构实用新型授权CN202422773492.X2024-11-14CN223552530U2025-11-14陈超、张海泉、崔崧、刘毅、赵善麒45一种适配于三电平功率模块动态测试的插接夹具实用新型授权CN202422603927.62024-10-28CN223551760U2025-11-14王天赐、吴云、王群、王鑫、崔崧、赵善麒46一种功率模块及其设计方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411502153.62024-10-25CN119486240A2025-02-18林杰、刘帅帅、张海泉、赵善麒47一种SiC功率MOSFET器件和制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411343366.92024-09-25CN119364816A2025-01-24张景超、戚丽娜、周昕、朱宁、崔崧、郑海峰、赵善麒48一种SiC功率MOSFET器件实用新型授权CN202422343705.52024-09-25CN223379519U2025-09-23张景超、戚丽娜、周昕、朱宁、崔崧、郑海峰、赵善麒49由半导体分立器件背面进行失效定位的方法发明专利公布CN202411072071.22024-08-06CN119001387A2024-11-22吴云、王群、王天赐、查林晨、徐楠、崔崧、赵善麒50一种功率模块用的散热基板发明专利实质审查的生效、公布CN202410815656.22024-06-24CN118571851A2024-08-30石彩云、周祥