SK海力士在产业活动上抛出一句话：没有存储器就没有AI产业。这句话不是口号，是这家韩国存储厂商对自身位置的判断——AI加速器离不开高带宽内存，而需求还在继续走强。

支撑这个判断的，是已经落地的动作。SK海力士从2026年6月开始，向主要客户提供12层48GB的HBM4E内存样品，单引脚速率最高16Gbps。公司称这款产品的能效较HBM4提高20%。

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样品不等于量产

需要看清的是，HBM4E目前仍处于样品阶段，还在评估中，尚未量产。SK海力士表示将继续与客户合作推进量产，但没有给出具体的量产时间表。样品交付和规模出货之间，还隔着客户验证这道关。

除了HBM这条主线，SK海力士也在探索HBF高带宽闪存技术。此前该公司已与闪迪共同发布首个HBF标准规范。HBF使用NAND闪存，产品性质介于高带宽内存与固态硬盘之间，目标是在增加容量的同时提供更高的带宽。

不过这类高带宽闪存产品目前还在技术研发阶段。最终能否研发成功、客户是否接受，都还需要观察。

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54万亿韩元的产能押注

SK海力士首席执行官郭鲁正提到，公司正在全球多地建设生产和研发设施。8月份，该公司在韩国龙仁建设Y2 DRAM厂、在清州建设M17 NAND厂，总投资规模达到54万亿韩元。

美国方面，SK海力士在印第安纳州建设基地，主要负责HBM先进内存的封装与测试，计划在2029年下半年开始量产。这个工厂不会在美国境内制造DRAM晶圆。

从样品交付到工厂动工，SK海力士的路径很清晰：用新存储技术、全球生产基地和研发设施继续巩固技术优势。AI产业往前走一步，存储器的需求就跟进一步——这正是它重申那句话的底气所在。