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9月24日消息，据报道，三星电子正将DDR5内存模组与SSD的新增产能全部外包给合作伙伴，自身资源全面转向HBM等高价值产品。

三星位于天安、温阳的封装工厂空间正被重新调整为HBM先进封装产线，不再为通用内存模组扩充自有产能。

供给收缩的直接结果是通用DRAM价格与需求同步走高，长鑫存储成为主要的受益者。

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据数据显示，长鑫存储2026年第二季度DRAM营收达146.24亿美元，环比暴增99.3%，全球市占率从一季度的7.6%跃升至9.5%，位列全球第四。

长鑫存储的增速远高于市场整体水平。同期全球DRAM产业营收环比增长59.5%，长鑫以99.3%的环比增幅位列全球主要厂商之首。

其增长主要来自移动端LPDDR4X/5X产品的价格领涨，以及三星等原厂将产能转向HBM后留下的通用DRAM供给空缺。

技术上，长鑫存储G5平台已实现量产，内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%，同步量产两款24Gb LPDDR5X产品。

产能方面，国金证券数据显示，长鑫2025年底月产能约28万至29万片。SemiAnalysis预计，到2026年底将达约35万片，到2028年有望增至50万片。

需要指出的是，长鑫能否借这一窗口持续扩大份额，将取决于其产能爬坡速度与高端产品验证进度。

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