国家知识产权局信息显示，长江存储控股股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备”的专利，公开号CN122825427A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在减小相邻两个位线之间的电流耦合效应。本申请实施例提供的半导体结构，该半导体结构包括多个存储电容、多个沟道结构、多个位线；一个沟道结构与一个存储电容对应连接；位线位于沟道结构背离存储电容的一侧，多个位线在第一方向上间隔设置，每个位线与沿第二方向排布的多个沟道结构均连接；在第一方向上间隔设置的多个位线沿第三方向错开排布，第一方向、第二方向以及第三方向均垂直，可以增加相邻两个位线之间的距离，减小相邻两个位线之间的电流耦合效应，避免产生漏电，进而提高半导体结构的性能。

天眼查资料显示，长江存储控股股份有限公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1782000万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储控股股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目3次，专利信息109条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员