国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（四川）有限公司申请一项名为“一种钨的沉积工艺及半导体基片”的专利，公开号CN122825712A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开一种钨的沉积工艺及半导体基片。该工艺适用于填充低深宽比凹陷结构，包括：在基片的凹陷结构的侧壁和底部沉积第一材料层；选择性沉积步骤：以脉冲方式通入第一反应气体和/或第二反应气体，两者在侧壁上部的第一材料层的表面发生反应，形成悬突；处理步骤：通入处理气体，以至少在悬突的部分表面形成钨生长抑制区；在形成钨生长抑制区的凹陷结构内沉积第二材料层，使凹陷结构内的至少部分区域被第二材料层填充。本发明通过在低深宽比凹陷结构的侧壁上部引入非共形的悬突，以在凹陷结构内实现梯度抑制处理效果，提高钨填充质量。

天眼查资料显示，中微半导体设备（四川）有限公司，成立于2025年，位于成都市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（四川）有限公司参与招投标项目25次，此外企业还拥有行政许可5个。

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作者：情报员