国家知识产权局信息显示，联华电子股份有限公司申请一项名为“接合半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN122825872A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本发明公开一种接合半导体结构及其制造方法，其中接合半导体结构包括第一晶圆，其包括第一穿硅通孔，以及第二晶圆接合在该第一晶圆上。第二穿硅通孔穿过第二晶圆，并且包括与第一穿硅通孔直接接触并电连接的下部，以及设置在下部上的上部。下部的侧壁，上部的底面以及上部的侧壁形成阶梯状轮廓。

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作者：情报员