国家知识产权局信息显示，艾维森纳科技有限公司申请一项名为“用于并行光学互连的雪崩光电检测器”的专利，公开号CN122826989A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，横向光电检测器可包含高电场倍增区。所述高电场倍增区可由邻近于或靠近所述光电检测器的n指状物的轻度p掺杂区域提供。所述高电场倍增区也可通过在所述光电检测器的p指状物与n指状物之间提供略微导电的水平平面来提供。所述光电检测器可生长在硅衬底上，所述硅衬底经蚀刻以形成间隙以允许光通过所述间隙到达所述光电检测器。

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作者：情报员